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アモルファス/結晶ハイブリッド型シリコン光集積回路

フォーマット:
論文
責任表示:
丸山, 武男 ; Maruyama, Takeo
言語:
日本語
出版情報:
金沢大学理工研究域電子情報通信学系, 2014-06-05
著者名:
掲載情報:
平成25(2013)年度 科学研究費補助金 若手研究(B) 研究成果報告書 = 2013 Fiscal Year Final Research Report
巻:
2012-04-01 - 2014-03-31
開始ページ:
6p.
バージョン:
author
概要:
次世代ネットワーク用超高速・小型光集積回路用に波長850nm帯のシリコン光集積回路を提案する。この波長帯を用いることで、結晶シリコンを光検出器として用いることが可能となり、LSIとの集積も容易になる。そして光導波路に高屈折率材料を用いることで、光回路の小型化が実現できる。そこで、CMOS標準プロセスを用いてアバランシェ光検出器を作製した。この素子は受光面積を縮小させることでpn接合での容量を低減させることができ高速化が期待できる。最大帯域として9GHzを得た。またCF4ドライ エッチング技術を用いTa2O5をコアとするマルチモード光導波路を作製し、導波路損失1dB/cmを得た。<br />We propose the 0.8 um range silicon photonic integrated circuits for a next generation network and a compact photonic receiver. In optical interconnection, 0.8 um wavelength region vertical-cavity surface-emitting lasers (VCSELs) and Si photodiodes (PDs) are used for realizing low cost systems. Si avalanche PDs (APDs) was fabricated by the complementary metal-oxide-semiconductor process are expected for optical interconnection applications due to easy integration with trans-impedance amplifiers (TIA) and the following electronic circuits.The bandwidth of APDs was increased with decreasing the detection area and decreasing the electrode PAD size because of decreased depletion capacitance at pn junctions and the PAD capacitance. The maximum bandwidth of 9 GHz was obtained. We fabricated multi-mode Ta2O5 waveguides by a CF4 reactive ion etching process. The propagation loss of 1 dB/cm was obtained at 830nm,<br />研究課題/領域番号:24760271, 研究期間(年度):2012-04-01 - 2014-03-31 続きを見る
URL:
http://hdl.handle.net/2297/00052484
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