次世代半導体メモリ : PRAMの例(<特集>大容量化が進むストレージ技術)

フォーマット:

論文

責任表示:

北川, 章夫 ; 中山, 和也 ; 高田, 雅史

言語:

日本語

出版情報:

IEICE 電子情報通信学会 = The Institute of Electronics, Information and Communication Engineers, 2006-11-01

著者名:

• 北川, 章夫
• 中山, 和也
• 高田, 雅史

掲載情報:

The Journal of the Institute of Electronics, Information, and Communication Engineers

ISSN:

0913-5693      

巻:

89

通号:

11

開始ページ:

982

終了ページ:

987

バージョン:

publisher

概要:

金沢大学理工研究域<br />アモルファス-結晶相転移や金属-絶縁体転移に伴う抵抗率変化を利用したメモリが次世代不揮発性メモリとして注目されている.これらのメモリは,集積回路の任意の配線層にメモリ材料を挿入しただけの簡単なセル構造により実現される.このため,既存メモリの微細化限界を乗り越え,混載メモリの大容量化を推進する手段として期待が大きい.特に,アモルファス-結晶相転移を用いた相転移メモリにおける材料開発及びメモリセルアレー形成技術の最近の動向と今後の展望を紹 … 介する. 続きを見る

URL:

http://hdl.handle.net/2297/24658