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強誘電体薄膜を用いたReRAM型高機能不揮発メモリの開発と機構解明

フォーマット:
論文
責任表示:
森本, 章治
言語:
日本語
出版情報:
金沢大学電子情報学系, 2016-06-01
著者名:
森本, 章治  
掲載情報:
平成27(2015)年度 科学研究費補助金 特定領域研究 研究成果報告書
巻:
2014-04-01 – 2016-03-31
開始ページ:
6p.
バージョン:
author
概要:
NdをドープしたBiFeO3(BNF)強誘電体を用いた抵抗変化メモリ素子(Fe-ReRAM)の作製と評価を行った。 リーク電流に影響されない特殊なパルス測定法(PUND)法を用いて強誘電特性を評価した結果、作製した試料の抵抗変化は主に強誘電体の自発分極に基づくことを確認した。作製した試料は30μsの書き込み時間でも約1000のON/OFF比を達成しており、書き込み時間のさらなる高速化が期待できる。保持特性及び疲労特性の結果より1万秒の保持時間、10万回の疲労サイクルにお いてON/OFF比が維持されていることを確認した。<br />研究課題/領域番号:26630126,研究期間(年度):2014-04-01 – 2016-03-31 続きを見る
URL:
http://hdl.handle.net/2297/47344

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