SOI導波路上単一モード半導体薄膜レーザに関する研究

フォーマット:

論文

責任表示:

丸山, 武男 ; Maruyama, Takeo

言語:

日本語

出版情報:

金沢大学理工研究域電子情報通信学系, 2009-05-25

著者名:

• 丸山, 武男
• Maruyama, Takeo

掲載情報:

平成20(2008)年度 科学研究費補助金 若手研究(B) 研究成果報告書 = 2008 Fiscal Year Final Research Report

巻:

2007-2008

開始ページ:

6p.

バージョン:

author

概要:

チップ間光インターコネクションを行うためには、電子デバイスと光デバイスとをチップ内に集積する必要があり、そのための技術開発が急務となる。本研究は、これまで半導体レーザとして実績のあるIII-V族化合物半導体(GaInAsP/InP)をSOI基板に直接貼り付けることによりシリコンLSI上での集積化に適した単一モード半導体レーザの作製を行った。その結果、SOI基板上への光励起における単一モード発振および高温(80℃)動作、さらに電流注入構造を試作し、LEDおよびレーザ発振を実現し … た。<br />研究課題/領域番号:19760231, 研究期間(年度):2007-2008<br />出典：「SOI導波路上単一モード半導体薄膜レーザに関する研究」研究成果報告書　課題番号19760231（KAKEN：科学研究費助成事業データベース（国立情報学研究所））（https://kaken.nii.ac.jp/report/KAKENHI-PROJECT-19760231/19760231seika/)を加工して作成 続きを見る

URL:

http://hdl.handle.net/2297/00052485