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SOI導波路上単一モード半導体薄膜レーザに関する研究
- フォーマット:
- 論文
- 責任表示:
- 丸山, 武男 ; Maruyama, Takeo
- 言語:
- 日本語
- 出版情報:
- 金沢大学理工研究域電子情報通信学系, 2009-05-25
- 著者名:
- 掲載情報:
- 平成20(2008)年度 科学研究費補助金 若手研究(B) 研究成果報告書 = 2008 Fiscal Year Final Research Report
- 巻:
- 2007-2008
- 開始ページ:
- 6p.
- バージョン:
- author
- 概要:
- チップ間光インターコネクションを行うためには、電子デバイスと光デバイスとをチップ内に集積する必要があり、そのための技術開発が急務となる。本研究は、これまで半導体レーザとして実績のあるIII-V族化合物半導体(GaInAsP/InP)をSOI基板に直接貼り付けることによりシリコンLSI上での集積化に適した単一モード半導体レーザの作製を行った。その結果、SOI基板上への光励起における単一モード発振および高温(80℃)動作、さらに電流注入構造を試作し、LEDおよびレーザ発振を実現し … た。<br />研究課題/領域番号:19760231, 研究期間(年度):2007-2008<br />出典:「SOI導波路上単一モード半導体薄膜レーザに関する研究」研究成果報告書 課題番号19760231(KAKEN:科学研究費助成事業データベース(国立情報学研究所))(https://kaken.nii.ac.jp/report/KAKENHI-PROJECT-19760231/19760231seika/)を加工して作成 続きを見る
- URL:
- http://hdl.handle.net/2297/00052485
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