巨大残留分極を用いたカーボン系材料の表面キャリア制御

フォーマット:

論文

責任表示:

川江, 健 ; Kawae, Takeshi

言語:

日本語

出版情報:

金沢大学理工研究域電子情報通信学系, 2014-06-05

著者名:

• 川江, 健
• Kawae, Takeshi

掲載情報:

平成25(2013)年度 科学研究費補助金 挑戦的萌芽研究 研究成果報告書 = 2013 Fiscal Year Final Research Report

巻:

2012-04-01 - 2014-03-31

開始ページ:

4p.

バージョン:

author

概要:

ダイヤモンドはワイドギャップ半導体としての優れた性能に加えて高濃度不純物添加により超伝導が発現する事が知られている。当該分野の将来の発展と現状の打破を目指し、強誘電体(Bi,Pr)(Fe,Mn)O3（BPFM）の巨大分極を利用した表面キャリア制御を提案する。ダイヤモンド・BPFM間において良好な界面構造を確認した。また、BPFMの良好な強誘電性を示した。一方、現在までにソース・ドレインを形成したMFISダイヤモンドFET構造の動作特性に関して、BPFMの自発分極に対するダイヤ … モンドチャネル層のキャリア変調は達成されていないが、ダイヤモンドチャネルの欠陥抑制により改善され得るものと考える。<br />It is known to the diamond that superconductivity develops by highly-concentrated impurities addition in addition to the superior performance as the wide gap semiconductor. Aiming at the future development of the field concerned and the present defeat, I suggest surface carrier control using a huge polarization of ferroelectric (Bi,Pr)(Fe,Mn)O3(BPFM).I confirmed good interface structure without the interdiffusion between diamond, and BPFM. In addition, I showed good ferroelectricity of BPFM. On the other hand, about movement properties of the MFIS diamond FET structure that formed a source drain, enough abnormality of the drain electric current of the class of diamond channels for the spontaneous polarization of BPFM is not accomplished to date, but think that this can be improved by the defect restraint of the diamond channel.<br />研究課題/領域番号:24656380, 研究期間(年度):2012-04-01 - 2014-03-31 続きを見る

URL:

http://hdl.handle.net/2297/00052183