※一部利用できない機能があります
Formation of crystalline silicon films having nanometer-size grains using a plasma-enhanced chemical vapor deposition technique
- フォーマット:
- その他
- 責任表示:
- Atif, Mossad Ali
- 言語:
- 英語
- 出版情報:
- 金沢大学, 2002-09-01
- 著者名:
- Atif, Mossad Ali
- 掲載情報:
- 博士学位論文要旨 論文内容の要旨および論文審査結果の要旨/金沢大学大学院自然科学研究科
- 巻:
- 平成14年9月
- 開始ページ:
- 60
- 終了ページ:
- 63
- バージョン:
- publisher
- 概要:
- 取得学位:博士(学術),学位授与番号:博甲第436号,学位授与年月日:平成13年9月28日,学位授与年:2001
- URL:
- http://hdl.handle.net/2297/16415
類似資料:
[Atif Mossad Ali] , [2001] |
National Aeronautics and Space Administration, Glenn Research Center |
Jorge A. Lubguban Jr. |
IntechOpen |
MDPI - Multidisciplinary Digital Publishing Institute | |
Wiley | |
Birkhäuser Basel |
IntechOpen |
6
電子ブック
Mechanisms of growth of nanocrystalline silicon deposited by hot-wire chemical vapor deposition
United States. Dept. of Energy |
United States. Dept. of Energy |