大面積,低温不純物ドーピング技術とその多結晶シリコン薄膜トランジスタ作製への応用の研究

大面積,低温不純物ドーピング技術とその多結晶シリコン薄膜トランジスタ作製への応用の研究

フォーマット:

その他

責任表示:

Kawachi, Genshiro ; 河内, 玄士朗

言語:

日本語

出版情報:

金沢大学, 1995-06-01

著者名:

掲載情報:

博士学位論文要旨　論文内容の要旨および論文審査結果の要旨／金沢大学大学院自然科学研究科

巻:

平成7年6月

開始ページ:

147

終了ページ:

151

バージョン:

publisher

概要:

取得学位：博士(工学)，学位授与番号：博乙第81号，学位授与年月日：平成6年9月30日,学位授与年：1994

URL:

http://hdl.handle.net/2297/15977

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詳細

その他の標題:	Large-Area and Low-Temperature Impurity Doping Technologies and Their Application to Fabrication of Polycrystalline Silicon Thin-Film Transistors
受理日:	1995-06-01

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