1.

図書

図書
光技術共同研究所編
出版情報: 東京 : オーム社, 1989.8
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2.

図書

図書
応用物理学会光学懇話会編
出版情報: 東京 : 朝倉書店, 1988.4
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3.

図書

図書
西原浩, 春名正光, 栖原敏明共著
出版情報: 東京 : オーム社, 1993.8
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4.

論文

論文
丸山, 武男 ; Maruyama, Takeo
出版情報: 平成20(2008)年度 科学研究費補助金 若手研究(B) 研究成果報告書 = 2008 Fiscal Year Final Research Report.  2007-2008  pp.6p.-,  2009-05-25.  金沢大学理工研究域電子情報通信学系
URL: http://hdl.handle.net/2297/00052485
概要: チップ間光インターコネクションを行うためには、電子デバイスと光デバイスとをチップ内に集積する必要があり、そのための技術開発が急務となる。本研究は、これまで半導体レーザとして実績のあるIII-V族化合物半導体(GaInAsP/InP)をSOI 基板に直接貼り付けることによりシリコンLSI上での集積化に適した単一モード半導体レーザの作製を行った。その結果、SOI基板上への光励起における単一モード発振および高温(80℃)動作、さらに電流注入構造を試作し、LEDおよびレーザ発振を実現した。<br />研究課題/領域番号:19760231, 研究期間(年度):2007-2008 続きを見る
5.

論文

論文
丸山, 武男 ; Maruyama, Takeo
出版情報: 平成29(2017)年度 科学研究費補助金 基盤研究(C) 研究成果報告書.  2015-04-01 - 2018-03-31  pp.5p.-,  2018-06-18.  金沢大学理工研究域電子情報通信学系
URL: http://hdl.handle.net/2297/00052483
概要: SOI-PIN光検出器を提案した。この素子は電極間隔、受光部面積、パッド面積を最適化することで、20 GHz超での動作が期待できる。ファウンドリーサービスを用いて光検出器を作製し、波長0.8 um帯における特性を評価した。電極間隔 0.6 um、受光部面積 20×20 um2、パッド面積30×30 um2の素子において、最大帯域13 GHzを得た。また、Si/SiO2方向性結合器による導波路型偏波スプリッタを作製した。FDTD解析により、結合長の組み合わせを1:2とすることで実現し、ファウンドリーサービスを用いて作製した。偏波スプリッタとして動作し、消光比20dB以上を得た。<br />研究課題/領域番号:15K06012, 研究期間(年度):2015-04-01 - 2018-03-31 続きを見る
6.

論文

論文
丸山, 武男 ; Maruyama, Takeo
出版情報: 平成25(2013)年度 科学研究費補助金 若手研究(B) 研究成果報告書 = 2013 Fiscal Year Final Research Report.  2012-04-01 - 2014-03-31  pp.6p.-,  2014-06-05.  金沢大学理工研究域電子情報通信学系
URL: http://hdl.handle.net/2297/00052484
概要: 次世代ネットワーク用超高速・小型光集積回路用に波長850nm帯のシリコン光集積回路を提案する。この波長帯を用いることで、結晶シリコンを光検出器として用いることが可能となり、LSIとの集積も容易になる。そして光導波路に高屈折率材料を用いること で、光回路の小型化が実現できる。そこで、CMOS標準プロセスを用いてアバランシェ光検出器を作製した。この素子は受光面積を縮小させることでpn接合での容量を低減させることができ高速化が期待できる。最大帯域として9GHzを得た。またCF4ドライエッチング技術を用いTa2O5をコアとするマルチモード光導波路を作製し、導波路損失1dB/cmを得た。<br />We propose the 0.8 um range silicon photonic integrated circuits for a next generation network and a compact photonic receiver. In optical interconnection, 0.8 um wavelength region vertical-cavity surface-emitting lasers (VCSELs) and Si photodiodes (PDs) are used for realizing low cost systems. Si avalanche PDs (APDs) was fabricated by the complementary metal-oxide-semiconductor process are expected for optical interconnection applications due to easy integration with trans-impedance amplifiers (TIA) and the following electronic circuits.The bandwidth of APDs was increased with decreasing the detection area and decreasing the electrode PAD size because of decreased depletion capacitance at pn junctions and the PAD capacitance. The maximum bandwidth of 9 GHz was obtained. We fabricated multi-mode Ta2O5 waveguides by a CF4 reactive ion etching process. The propagation loss of 1 dB/cm was obtained at 830nm,<br />研究課題/領域番号:24760271, 研究期間(年度):2012-04-01 - 2014-03-31 続きを見る