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論文

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瀬戸, 章文 ; Seto, Takafumi
出版情報: 平成28(2016)年度 科学研究費補助金 挑戦的萌芽研究 研究成果報告書 = 2016 Fiscal Year Final Research Report.  2015-04-01 - 2017-03-31  pp.4p.-,  2017-06-09. 
URL: http://hdl.handle.net/2297/00052788
概要: 金沢大学理工研究域フロンティア工学系<br />多成分ターゲットへの気中同時レーザー照射により、核形成・成長過程を制御し、表面にナノオーダーのハイブリッド構造を有するSi量子ドットを生成することに成功した。得られた構造体は、直径が10nm以 下の球形Siナノ粒子の周囲に数nmの金属ナノ粒子が部分的に複合化したものであり、Agとのハイブリッド粒子においてラマン散乱における特徴的な表面増強効果により1オーダー以上のピーク強度の増幅を観測した。現在のところ、本課題の最終目標とした完全被覆膜は得られていないが、本課題で開発した実験系をさらに多種の物質系に適用することで、原子膜状物質が均一にハイブリッド化したSi量子ドットの合成が期待される。<br />Hybrid structures between Si quantum dots and surface nanostructures were synthesized. From TEM analysis, the obtained structure was Si nanoparticles with diameter less than 10nm with partially hybridized with small metal nanoparticles. Strong enhancement of Raman signal (more than 1 order of magnitude) was observed from the prepared sample of the hybrid nanostructure between Si quantum dots and silver nanoparticles. Although the perfect coverage (final goal of this subject) was not achieved, such hybrid quantum dots were expected to be applied for many optical applications and further development is necessary using other material system.<br />研究課題/領域番号:15K14200, 研究期間(年度):2015-04-01 - 2017-03-31 続きを見る
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德田, 規夫 ; Tokuda, Norio
出版情報: 平成26(2014)年度 科学研究費補助金 若手研究(A) 研究成果報告書 = 2014 Fiscal Year Final Research Report.  2012-04-01 - 2015-03-31  pp.5p.-,  2015-06-09. 
URL: http://hdl.handle.net/2297/00052822
概要: 金沢大学ナノマテリアル研究所<br />ダイヤモンドは、次世代パワーデバイス材料として最も高い省エネ効果が期待されている半導体材料である。本研究は、その材料・プロセス技術の高度化を行うことで、超省エネ化実現のための革新的デバイス特性を創出す ることを目的とした。本研究で、高品質なp型ダイヤモンド膜の成長技術の開発、超低抵抗率のδドープダイヤモンドの実現、そして、高品質なAl2O3/ダイヤモンド界面を有するダイヤモンドMOS構造の作製に成功した。<br />Diamond is a semiconductor material for the next-generation power devices. The purpose of this study was to create the novel device performances for the realization of ultra-energy saving by elevating its material and process techniques. In this study, we succeeded in the development of the growth techniques of high-quality p-type diamond films, the realization of delta-doped diamond with ultralow resistivity, and the fabrication of diamond MOS structures with high-quality Al2O3/diamond interfaces.<br />研究課題/領域番号:24686074, 研究期間(年度):2012-04-01 - 2015-03-31 続きを見る
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論文

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德田, 規夫 ; Tokuda, Norio
出版情報: 平成21(2009)年度 科学研究費補助金 若手研究(B) 研究成果報告書 = 2009 Fiscal Year Final Research Report.  2008-2009  pp.5p.-,  2010-05-15.  金沢大学ナノマテリアル研究所
URL: http://hdl.handle.net/2297/00052823
概要: プラズマCVDを用いたダイヤモンド結晶成長モードを制御することで、ダイヤモンド表面を原子レベルで制御することを行った。その結果、デバイスサイズ100×100μm2のステップフリーダイヤモンド(111)表面の形成に成功した。また、単原子ステッ プを持つ正三角形島構造を世界最小のナノメートルスケールの物差しとして提案した。<br />The control of diamond surface in atomic level has been studied by controlling the diamond crystal growth using plasma-enhanced CVD. As a result, 100×100μm2 step-free surface of diamond (111) was successfully formed. The diamond nano-structure, which was composed of equivalent triangular islands with single steps, was suggested as world's smallest nanometer-sized ruler. 続きを見る