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論文
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1. 巨大残留分極を用いたカーボン系材料の表面キャリア制御
川江, 健 ; Kawae, Takeshi
出版情報: 平成25(2013)年度 科学研究費補助金 挑戦的萌芽研究 研究成果報告書 = 2013 Fiscal Year Final Research Report.  2012-04-01 - 2014-03-31  pp.4p.-,  2014-06-05.  金沢大学理工研究域電子情報通信学系
URL: http://hdl.handle.net/2297/00052183
概要: ダイヤモンドはワイドギャップ半導体としての優れた性能に加えて高濃度不純物添加により超伝導が発現する事が知られている。当該分野の将来の発展と現状の打破を目指し、強誘電体(Bi,Pr)(Fe,Mn)O3（BPFM）の巨大分極を利用した表面キャリ … ア制御を提案する。ダイヤモンド・BPFM間において良好な界面構造を確認した。また、BPFMの良好な強誘電性を示した。一方、現在までにソース・ドレインを形成したMFISダイヤモンドFET構造の動作特性に関して、BPFMの自発分極に対するダイヤモンドチャネル層のキャリア変調は達成されていないが、ダイヤモンドチャネルの欠陥抑制により改善され得るものと考える。<br />It is known to the diamond that superconductivity develops by highly-concentrated impurities addition in addition to the superior performance as the wide gap semiconductor. Aiming at the future development of the field concerned and the present defeat, I suggest surface carrier control using a huge polarization of ferroelectric (Bi,Pr)(Fe,Mn)O3(BPFM).I confirmed good interface structure without the interdiffusion between diamond, and BPFM. In addition, I showed good ferroelectricity of BPFM. On the other hand, about movement properties of the MFIS diamond FET structure that formed a source drain, enough abnormality of the drain electric current of the class of diamond channels for the spontaneous polarization of BPFM is not accomplished to date, but think that this can be improved by the defect restraint of the diamond channel.<br />研究課題/領域番号:24656380, 研究期間(年度):2012-04-01 - 2014-03-31 続きを見る
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論文
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2. 強誘電体の巨大分極を利用した超低損失ダイヤモンドパワーFETの創出
川江, 健 ; Kawae, Takeshi
出版情報: 令和1(2019)年度 科学研究費補助金 基盤研究(B) 研究成果報告書 = 2019 Fiscal Year Final Research Report.  2017-04-01 - 2020-03-31  pp.7p.-,  2020-05-26. 
URL: http://hdl.handle.net/2297/00057872
概要: 金沢大学理工研究域電子情報通信学系<br />本研究では、ワイドギャップ半導体ダイヤモンドに対し、強誘電体をゲートとした電界効果トランジスタ（FeFET）構造を形成し、従来型パワーデバイスに比する優位性について検証を行った。強誘電体ゲートを … 用いたダイヤモンドチャネルの電圧変調において、電流ON/OFF比10E+8を実証するに至った。また、強誘電体ゲートの残留分極を利用したダイヤモンドFeFETの疑似ノーマリオフ動作に関して、現在までに最長70時間に至るオフ状態の保持を実証した。以上の結果は、強誘電体をゲートにより実現したパワーFETの新動作原理を示したものであり、今後、当該構造を利用したパワーデバイス開発に資するものと考える。<br />In this study, for wide-gap semiconductor diamond, we proposed the creation of field-effect transistor structure with a ferroelectric gate (FeFET), and investigated its superiority to conventional power devices.We have demonstrated a current ON/OFF ratio of 10E+8 of diamond channel due to the modulation of huge amount of carrier by applying the gate voltage. In addition, about the pseudo normally-off operation of diamond FeFET using the remnant polarization of the ferroelectric gate, it has been demonstrated that the off-state can be maintained for up to 70 hours.The above results indicate the new operating principle of a power FET realized by a ferroelectric gate, and are considered to contribute to the development of power devices using this structure in the future.<br />研究課題/領域番号:17H03248, 研究期間(年度):2017-04-01 - 2020-03-31<br />出典：「強誘電体の巨大分極を利用した超低損失ダイヤモンドパワーFETの創出」研究成果報告書　課題番号17H03248（KAKEN：科学研究費助成事業データベース（国立情報学研究所））（https://kaken.nii.ac.jp/report/KAKENHI-PROJECT-17H03248/17H03248seika/)を加工して作成 続きを見る