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論文
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1. 第一原理計算による強誘電体ナノ界面の巨大ラシュバ系探索とスピン流の起源解明
石井, 史之 ; Ishii, Fumiyuki
出版情報: 平成28(2016)年度 科学研究費補助金 若手研究(B) 研究成果報告書 = 2016 Fiscal Year Final Research Report.  2013-04-01 - 2017-03-31  pp.4p.-,  2017-05-31. 
URL: http://hdl.handle.net/2297/00052011
概要: 金沢大学ナノマテリアル研究所<br />物質の端もしくは異なる物質の接合面（界面）では、通常の物質と異なる性質を示す。特に、電子のスピンを活用した、エレクトロニクスであるスピントロニクスの応用に繋がる、特徴的な電子の状態が出現する。本研究で … は、地球上に豊富に存在する酸素の化合物である、酸化物の表面や界面、新しい炭素材料であるグラフェンとの接合面などについて、その電子状態について詳しく調べた。その結果、酸化物誘電体とその界面においては電気分極を指標とする内部電場で生ずる強い有効磁場が生ずることが明らかになった。この性質はスピンエレクトロニクスのみならず、熱エネルギーを電気エネルギーに変換する熱電効果への応用が期待される。<br />At the surface of the materials and at the interface of different materials, they show properties different from ordinary bulk materials, the electronic state which can be used for spintronics applications. In this study, we have investigated the electronic state at the surface and interface of oxides material which abundantly present on Earth and the interface of graphene and oxide. As a result, we found that an effective magnetic field is generated by the internal electric field characterized by electric polarization at the interface between oxide and other substances.　This property is expected to be applied not only for spin electronics but also for thermoelectric effect that converts thermal energy into electric energy.<br />研究課題/領域番号:25790007, 研究期間(年度):2001-2006 続きを見る
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論文
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2. 巨大残留分極を用いたカーボン系材料の表面キャリア制御
川江, 健 ; Kawae, Takeshi
出版情報: 平成25(2013)年度 科学研究費補助金 挑戦的萌芽研究 研究成果報告書 = 2013 Fiscal Year Final Research Report.  2012-04-01 - 2014-03-31  pp.4p.-,  2014-06-05.  金沢大学理工研究域電子情報通信学系
URL: http://hdl.handle.net/2297/00052183
概要: ダイヤモンドはワイドギャップ半導体としての優れた性能に加えて高濃度不純物添加により超伝導が発現する事が知られている。当該分野の将来の発展と現状の打破を目指し、強誘電体(Bi,Pr)(Fe,Mn)O3（BPFM）の巨大分極を利用した表面キャリ … ア制御を提案する。ダイヤモンド・BPFM間において良好な界面構造を確認した。また、BPFMの良好な強誘電性を示した。一方、現在までにソース・ドレインを形成したMFISダイヤモンドFET構造の動作特性に関して、BPFMの自発分極に対するダイヤモンドチャネル層のキャリア変調は達成されていないが、ダイヤモンドチャネルの欠陥抑制により改善され得るものと考える。<br />It is known to the diamond that superconductivity develops by highly-concentrated impurities addition in addition to the superior performance as the wide gap semiconductor. Aiming at the future development of the field concerned and the present defeat, I suggest surface carrier control using a huge polarization of ferroelectric (Bi,Pr)(Fe,Mn)O3(BPFM).I confirmed good interface structure without the interdiffusion between diamond, and BPFM. In addition, I showed good ferroelectricity of BPFM. On the other hand, about movement properties of the MFIS diamond FET structure that formed a source drain, enough abnormality of the drain electric current of the class of diamond channels for the spontaneous polarization of BPFM is not accomplished to date, but think that this can be improved by the defect restraint of the diamond channel.<br />研究課題/領域番号:24656380, 研究期間(年度):2012-04-01 - 2014-03-31 続きを見る